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MemSilicon完成1T4R 1Gb RRAM芯片流片
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AI 综述
2026年10月14日，铭芯启睿（MemSilicon）宣布完成基于1TnR技术路线的首代高密度、大容量RRAM芯片“泰山一号（MountTai 2026）”流片。该芯片采用28nm CMOS工艺和1T4R单元结构，单芯片容量1Gb，密度达30Mb/mm²，访问延时小于20ns，并集成片上硬件纠错电路。报道称其为国际首款1T4R 1Gb RRAM芯片。目前该芯片已完成流片，正在推进验证。
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最新进展10月14日 14:24
MemSilicon宣布“泰山一号”1Gb RRAM芯片完成流片，正推进验证。报道时间线
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10月14日
- 量子位MemSilicon 完成国际首款 1T4R 1Gb RRAM 芯片“泰山一号”流片
铭芯启睿（MemSilicon）宣布完成基于 1TnR 技术路线的首代高密度、大容量 RRAM 芯片“泰山一号（MountTai 2026）”流片，采用 28nm CMOS 工艺和 1T4R 单元结构，单芯片容量 1Gb，密度达 30Mb/mm²，访问延时小于 20ns，并集成片上硬件纠错电路。该芯片已完成流片，正在推进验证。
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